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IRFL4105TRPBF中文资料

IRFL4105TRPBF图片

IRFL4105TRPBF外观图

  • 大小:158.3KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.7A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 3.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:660pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRFL4105TRPBF-NDIRFL4105TRPBFTR

IRFL4105TRPBF供应商

更新时间:2023-01-10 23:27:42
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